transistor base中文是什么意思

• 晶体管基极
• 晶体管基级, 晶体管基区

• "transistor"中文翻译    n. 【无线电】晶体(三极)管；晶体管[半导体]收音机。 ...
• "base"中文翻译    adj. 1.贱的，劣的；卑下的，低级的；卑鄙的。 2. ...
• "base of transistor" 中文翻译 :    晶体管座
• "base transistor" 中文翻译 :    基极晶体管
• "common base transistor" 中文翻译 :    共基极晶体管
• "common-base transistor" 中文翻译 :    共基极晶体管
• "diffused base mesa transistor" 中文翻译 :    扩散基极台面型晶体管
• "diffused base transistor" 中文翻译 :    扩散底层; 扩散基极型晶体管; 攘扩散基极晶体管
• "diffused base type transistor" 中文翻译 :    基极扩散型晶体管
• "diffused emitter and base transistor" 中文翻译 :    扩散发射极基极晶体管
• "diffused-base transistor" 中文翻译 :    基极扩散晶体管; 扩散基极晶体管
• "diffusion base plane transistor" 中文翻译 :    扩散基极平面晶体管
• "double base junction transistor" 中文翻译 :    双基极结型晶体管
• "double base transistor" 中文翻译 :    双基极晶体管
• "double-base junction transistor" 中文翻译 :    双基极接面晶体管
• "double-base transistor" 中文翻译 :    双基极晶体管
• "emitter base diffusion transistor" 中文翻译 :    发射极-基极扩散晶体管
• "graded base transistor" 中文翻译 :    渐变基极电晶体
• "grounded base transistor" 中文翻译 :    共基极晶体管
• "grounded-base transistor" 中文翻译 :    共基极晶体管。
• "ion implanted base transistor" 中文翻译 :    离子注入基极晶体管
• "metal base transistor" 中文翻译 :    金属基极晶体管; 金属基体晶体管
• "metal-base transistor" 中文翻译 :    金属基极晶体管
• "transistor base clamper circuit" 中文翻译 :    晶体管基极箝位电路
• "transistor base current" 中文翻译 :    晶体管基极电流

• Transistor base current
  晶体管基极电流
• Transistor based technology , high power mosfet is used for the vibration element mosfet : metal - oxide semiconductor field effect transistor
  三，主要功能特点：全部采用晶体管，振荡元件采用大功率mosfet场效应管。
• First , the paper researchs the spice simulation of single electron transistor based on curve approach and quasi - analytical model of single electron transisor , and simulate characteristic of single electon transistor with matlab tool . secondly , the paper combine spice simulation program with master equation of single electron transistor , put forward novel spice simulation method of single electron transistor based on master equation , by choose master state of single electron transistor and build master equation of single electron transistor , afterward gain nonlinear cortrolled source of spice model of single electron transistor by solve the master equation of single electron transistor and simulate v - i characteristic of single electon transistor by spice program , it ’ s result prove the method is availability precision comparing with master equation method
  然后在此基础上提出了基于主方程法单电子晶体管spice模拟新方法,本论文结合当前电路模拟软件spice程序和单电子晶体管主方程模拟算法,通过选择单电子岛电子数的主要状态,建立单电子晶体管主方程,然后求解主方程,求得单电子晶体管spice等效模型的受控源的非线性函数,然后利用集成电路辅助分析软件spice的abm (模拟行为建模)建立单电子晶体管( set ) spice等效模型,利用set的等效模型对单电子晶体管v - i特性进行仿真,实验证明此方法与直接解主方程法相比具有一定的精度。

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